电阻是15，mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。...

1由于栅极驱动线路有电感，不加阻尼容易引发敏感驱动电平处振荡2驱动电路输出电流能力弱一些输入电流能力强一些3增大Rg 抑制开通or关断时Vds ids等振荡，减小EMI和炸机几率。...

MOS管栅极加有电压时导通，栅极失去电压时截止。使用MOS管应注意，其完全导通栅极所需的电压较高，如果栅极电压低会导致发热。...

反相器：pmos和nmos栅极相连为输入端，pmos源极接电源，nmos源极接地，pmos和nmos的漏极相连为输出端。 与非门：上面两个pmos并联，下面两个nmos串联。或非门：上面两个pmos串联，下面两个...

不知道你说的是驱动电阻RG还是G极对E极的释放电荷的电阻，所以分两部分说。 首先，IGBT的输入阻抗很高，即使是空间杂散电场也会导致IGBT导通，何况还有从C极传导过来的微弱漏电流...