关于Buck变换器上管MOSFET开关速度的优劣势是什么?

 作者:UPS电源    |      2024-04-15 22:57    |    标签: mosfet 变换器 速度 开关 关于 Buck

  回复:Buck变换器上管MOSFET开关速度的分析及提高

  目前,Buck变换器在电脑主板、通信电源、手机等电子产品中的应用越来越广泛。随着全世界节能减排的发展,Buck变换器的效率成为评价电源系统性能优劣及可靠性的最重要指标。Buck电路的效率跟很多因素有关,例如电感线圈的DCR,电感的磁芯材料,上管(HS)和下管(LS)MOSFET,PCB layout等。为了得到较高的效率,通常我们需要尽可能的提高HS的开关速度以降低其开关损耗,同时需要尽可能的选择具有较小Rds(on)的LS以降低其导通损耗。

  本文将通过功率MOSFET管的工作特性,系统的分析如何选择具有较快开关速度的上管,同时,在给定上管的条件下,从外围元件选择和PCB布线的角度分析如何进一步优化上管的开关速度,从而为设计工程师提供一些依据,来找到系统设计的一些问题,提高电子系统的效率及可靠性。

  1. Buck变换器及损耗分析

  图一是基本的同步整流Buck电路,Q1是HS MOSFET,Q4是LS MOSFET, L1为功率电感。这里我们只考虑MOSFET的损耗,其主要有如下几种:

  1.上管的开关损耗;2.上管的导通损耗;3.下管的开关损耗;4.下管的导通损耗;5.死区时间内二极管的导通损耗;6.下管二极管的反向恢复损耗;7.上下管Coss的损耗;8.上下管的驱动损耗

  图1:Buck Topology

  HS的开关损耗在HS和LS总损耗中占据很高的比例。如下图为VIN=12V, VOUT=1V, 工作频率600KHz下各种损耗所占比重分布,可以看出,上管的开 关损耗在上下管的总损耗中占比35%,在上管的总损耗中,上管的开关损耗占比接近75%。所以,降低上管的开关损耗,对于系统的设计来说尤为重要。由于上管工作在硬开关状态,只有提高开关速度,才能降低其开关损耗以提高效率。下面,我们重点分析上管的开关速度跟MOSFET的哪些参数有关,以及如果提高开关速度。

  图2:Figure 2 Buck变换器HS和L S损耗分布

  2.影响上管开关速度的参数

  HS Rg的大小会影响驱动电流Ig,进而影响上管的开关速度。如下图所示为当HS Rg从 1欧姆到10欧姆变化时,HS dv/dt会变慢。所以较小的Rg可以获得较快的开关速度。

  图3:Figure 3 HS Rg参数扫描分析

  Crss即米勒电容,较大的Crss意味着在MOSFET开关的时候,米勒平台就会更长,从而开关速度就会越慢。所以,我们在设计的时候,尽量选择Crss低的上管来提高开关速度。

  图4:Figure 4 HS Crss参数扫描分析

  HS驱动回路的PCB layout对其开关速度会产生很大的影响。举一个例子,如下同步Buck电路,Q1为PairFET,型号为AOE6982T,驱动IC为ISL6207。驱动IC的pin8(phase)为上管的sense pin,该pin的连接位置对驱动回路会产生很大影响。为了验证这一影响,我们设计两个PCB: PCB 1#:驱动IC pin8连接至A点(上管的源极);PCB 2#:驱动IC pin8连接至B点(电感L1的左端)。

  图5:Figure 5 同步Buck电路

  

关于Buck变换器上管MOSFET开关速度的优劣势是什么?

  图6:Figure 6 PCB 1#:驱动IC pin8连接至A点(上管的源极)

  图7:Figure 7 PCB 2#:驱动IC pin8连接至B点

  在同样的条件(两个板子使用同一颗MOSFET,同一个电感)下,测试两个板子的效率,得到如下效率曲线。测试条件如下,VIN=12V,VOUT=1V,开关频率=600KHz, L=250nH。 由曲线可知,在Io=25A时,PCB 1#的效率比PCB 2#高出0.7%, 也就是说,驱动Ic的pin8连接到上管的源极可以得到较高的效率。

  图8:Figure 8 PCB 1#和2#效率对比

  分析:上管的驱动分为两种类型,一种称为共源电感驱动(common source),另一种称为非共源电感驱动(non - common source)。所谓common source就是指上管寄生的源极电感(source inductance)和 PCB走线电感等都被包括在驱动回路里面、如下图,上管驱动的地(HS sense)连接在B点。非共源电感驱动是指如上所说的电感不被包括在驱动回路里面,即驱动回路的地( HS sense)连接在A点。

  当采用共源电感驱动方式时,驱动回路里面串联了一个电感LHS,该电感会减慢上管的开关速度。当上管开通时,流过漏源极的电流快速增加,该电流会在LHS上面感应出一个上正下负的电压LHS*di/dt,该电压会减慢Vgs的爬升速度,从而减慢上管的开通速度。当上管关闭时,流过漏源的电流快速减小,该电流会在LHS上面感应出一个上负下正的电压,该电压会感慢Vgs下降的速度,从而减慢上管的关闭速度。所以,采用共源电感驱动时,LHS会减慢上管的开通和关闭速度,增加了开关损耗,损失了效率。

  图9:Figure 9 HS驱动回路模型

  (4)环路电感(loop inductance)

  所谓环路电感,是指整个功率环路的所有电感值的和。如Figure 9所示,L1, LHS和LLS的和即为环路电感。在下管关断,上管开通的过程中,当上管完全导通(Vds接近于零)后,phase点的电压Vphase=Vin-(L1+LHS)*di/dt,此时环路电感的大小将控制phase点电压的上升斜率dv/dt。如Figure10, 环路电感较小时,phase点电压的dv/dt较大,上管的开通速度较快,开通损耗较小。

  图10:Figure 10 环路电感1.8nH时的开关波形

  图11:Figure 11 环路电感2.8nH时的开关波形

  3.结论

  

关于Buck变换器上管MOSFET开关速度的优劣势是什么?

  (1 )驱动电阻越小,HS的开关速度越快。

  (2)Crss越小,HS的开关速度越快。

  (3)在PCB layout时, HS驱动的地(HS sense)要从最靠近源极引脚的地方引出以减小驱动回路里的电感,提高HS的开关速度。

  (4)较小的环路电感,HS可以得到较快的开关速度,在PCB layout时要尤其注意,尽量减小环路电感。

  

关于Buck变换器上管MOSFET开关速度的优劣势是什么?