台积电将于4月披露3nm制程芯片细节: 与三星的制程大战即将开始。
据数码测评网站GizChina报道，台积电将于2023年4月举行一个特别新闻发布会，届时将披露3nm（纳米）制程芯片的相关细节。
不得不说，这家全球最大的独立半导体制造厂为3nm芯片最终选择的技术路线，将对整个集成电路产业产生重要影响。
到目前为止，只有台积电与三星有能力在3nm制程上做相关投入和生产。而三星在去年已经宣布放弃FinFET晶体管技术，采用 GAA 环绕栅晶体管技术来推进3nm制程的芯片生产工作。
至于台积电，也已经把大量钱投入到3nm节点上。 2023年末，台积电曾宣布投资195亿美元建设3nm制程工厂，并将于2023年正式开工。然而，所有相关技术细节仍然是保密的。
具体来说，三星的3nm工艺分为3GAE 和3GAP，后者有更好的性能。 根据官方声明，基于新的 GAA 晶体管结构，三星使用纳米芯片器件制造了MBCFETs (多桥通道场效应晶体管)。 这种技术可以显著提高晶体管的性能，被用来主要取代 FinFET 晶体管技术。
此外，MBCFET 技术也可以与现有的 FinFET 制造工艺技术和设备兼容，这将加速制造工艺的开发和生产。
在2023年的日本 SFF 大会上，三星还宣布了3nm工艺的具体规格。与现有7nm 工艺相比，3nm 工艺可以让芯片核心区域面积减少45% ，功耗降低50% ，性能提高35% 。
因此，台积电究竟是选择像三星这样的 GAA 晶体管，还是继续改进 FinFET 晶体管，这两种技术路线，将影响未来许多高端芯片的选择。
没研究。