IGBT和电力MOSFET的内部结构和开关特性的相似与不同之处？

　　IGBT与MOSFET结构上的差别只是IGBT在VDMOS的背面增加了一个P型层。但就是增加了这么一个P型层，导致IGBT和MOSFET具有不同的工作机理和特性。

　　由于IGBT背面有一个P型层，IGBT在开通状态时，其N-漂移区能会发生强烈的电导调制效应，就是因为这个电导调制效应，导致IGBT的导通电阻约是MOSFET的1/3，其导通损耗较MOSFET小。但又就是因为电导调制效应，导致IGBT在关断时会存在拖尾电流，使IGBT的关断时间变长，关断损耗变大。