氮化镓充电器优点:氮化镓号称第三代半导体核心材料。相对硅而言，氮化镓拥有更宽的带隙，宽带隙也意味着，氮化镓能比硅承受更高的电压，拥有更好的导电能力。简而言之两种材料在相同体积下，氮化镓比硅的效率高出不少。如果氮化镓替换现在所有电子设备，可能会让电子产品的用电量再减少10%或者25%。
优点:与普通半导体的硅材料相比，氮化镓的带隙更宽且导热好，能够匹配体积更小的变压器和大功率电感，所以氮化镓充电器有体积小、效率高、更安全等优势
缺点:氮化镓充电器主要缺点是成本高。氮化镓作为新型第三代化合物，合成环境要求很高，从制造工艺上讲，氮化镓没有液态，不能使用单晶硅的传统直拉法拉出单晶，纯靠气体反应合成，在氨气流中超过1000度加热金属镓半小时才能形成粉末状氮化镓，所以氮化镓充电器的成本更高，对应市面上的氮化镓充电器售价也比传统充电器高出一大截。
