90nm光刻机经过两次曝光，可以制成45nm的芯片，三次曝光后可以制成22nm的芯片。 但是曝光次数越多，芯片的良品率就越低，漏电率越高，所以大都用来制造28nm芯片。 再看ASML，EUV光刻机...

可以制作的芯片精细程度不同。激光光源决定了波长，波长会影响线宽，因此现在7nm的制作基本依赖于多重曝光，但是90nm基本上不需要，可以采用更长波长的光源多重曝光，也可以用...